ITIC曲線及具體實(shí)現(xiàn)
正 文
ITIC曲線是在CBEMA曲線的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，是在大量試驗(yàn)數(shù)據(jù)的支持下，根據(jù)計(jì)算機(jī)等信息工業(yè)設(shè)備對暫態(tài)電能質(zhì)量（主要是電壓跌落、上升、短時(shí)中斷）的抗擾度水平形成的。該曲線是目前評估暫態(tài)電能質(zhì)量事件影響的一個(gè)重要依據(jù)，被IEEE引用為美國標(biāo)準(zhǔn)（IEEE 446）。那么正確理解ITIC曲線包含的含義顯得尤為重要。同時(shí)針對于ITIC曲線所實(shí)施的抗擾度（PLD Power Lind Disturbance）測試比IEC61000-4-11/13/14/27/28/29更為豐富，更具有實(shí)效性。
ITIC曲線所包含的主要內(nèi)容以及相關(guān)解釋
圖一為ITIC曲線，該曲線包括了7類典型事件 ，劃分為三個(gè)電壓區(qū)域，分別介紹如下：
一）容忍區(qū)：
在下述七類事件包圍的區(qū)域內(nèi)，設(shè)備一般運(yùn)行性能均能正常發(fā)揮
1、穩(wěn)態(tài)電壓變化區(qū)，該區(qū)域內(nèi)，電壓有效值在±10%范圍內(nèi)波動(dòng)或維持恒定，不至于對設(shè)備的運(yùn)行性能產(chǎn)生任何危害，屬于正常的電壓變化范圍。
2、電壓上升（swell），設(shè)備可忍受的條件為為：電壓有效值上升到額定值的120％，持續(xù)0.5秒事件。一般在大負(fù)荷切除或其他新電源供電時(shí)出現(xiàn)。
3、低頻衰減振蕩（Low frequency decaying ringwave），當(dāng)功率因數(shù)校正電容投入系統(tǒng)時(shí)發(fā)生。振蕩頻率范圍一般為200Hz～5KHz（與交流配電系統(tǒng)的諧振頻率有關(guān)），其暫態(tài)幅度一般表示為額定電壓峰值的百分?jǐn)?shù)，該暫態(tài)過程一般在電壓峰值附近發(fā)生，出現(xiàn)后半個(gè)周波衰減結(jié)束。幅值從200Hz時(shí)的140％振蕩到5KHz時(shí)的200％，變化基本與頻率成正比（如下圖）
4、高頻沖擊，一般由雷電引起。波形形狀等內(nèi)容ANSI/IEEE C62.41-1991有詳細(xì)說明（該標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了設(shè)備耐受的瞬態(tài)環(huán)境，并提供了設(shè)備耐受試驗(yàn)用波形）。
5、電壓跌落（sag），曲線描述了兩種電壓跌落事件，跌落幅度以有效值表示。一般由電力系統(tǒng)不同節(jié)點(diǎn)大負(fù)荷的投入、故障等引起；下跌到80％ RMS典型持續(xù)時(shí)間為10秒鐘，下跌到70％ RMS典型持續(xù)時(shí)間為0.5秒鐘。
6、電壓消失（dropout），一般包括嚴(yán)重的電壓跌落及完全的電壓中斷兩類事件。持續(xù)時(shí)間可達(dá)20毫秒；典型原因?yàn)楣收现睾祥l過程。可見信息工業(yè)對重合閘這一經(jīng)典的電力系統(tǒng)操作提出了挑戰(zhàn)。
二）設(shè)備無損壞區(qū)，該區(qū)域包括電壓下跌及中斷（容忍曲線的下部）。此種情況下設(shè)備的正常功能將不能保證發(fā)揮，但不致于對設(shè)備自身構(gòu)成損壞。
三）禁止區(qū)（設(shè)備損壞區(qū)），包括任何電壓浪涌或上升事件（容忍曲線上部），一旦到達(dá)該區(qū)域，ITE設(shè)備將被損壞。
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